规格
- 零件状态 Active
- 安装类型 Chassis Mount
- 供应商器件封装 -
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 封装 / 外壳 Module
- IGBT类型 -
- 电压 - 集电极-发射极击穿电压（最大值） 1200 V
- 配置 Half Bridge
- Input Standard
- NTC热敏电阻 Yes
- 集电极电流（Ic）（最大值） 110 A
- 集电极截止电流（最大值） 25 µA
- 最大功率 375 W
- Vce(on) (最大值) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A
- 输入电容（Cies）@ Vce 2.77 nF @ 25 V