FII50-12E
Part Number:
FII50-12E
Product Classification:
مصفوفات IGBT
Manufacturer:
IXYS
Description:
IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5
Packaging:
Tube
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Through Hole
- درجة حرارة التشغيل -55°C ~ 150°C (TJ)
- الطاقة - الحد الأقصى 200 W
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 50 A
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 1200 V
- تكوين Half Bridge
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- نوع IGBT NPT
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 400 µA
- المورد الجهاز الحزمة ISOPLUS i4-PAC™
- الحزمة / العلبة i4-Pac™-5
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.6V @ 15V, 30A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 2 nF @ 25 V