VS-GT50TP60N
Part Number:
VS-GT50TP60N
Product Classification:
وحدات IGBT
Manufacturer:
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description:
IGBT MOD 600V 85A 208W INT-A-PAK
Packaging:
Bulk
ROHS Status:
Yes
Currency:
USD
PDF:
Documents
Specification
- حالة القطعة Obsolete
- نوع التثبيت Chassis Mount
- الجهد - انهيار المجمع الباعث (الحد الأقصى) 600 V
- تكوين Half Bridge
- تيار القاطع - قطع المجمع (الحد الأقصى) 1 mA
- المدخلات Standard
- مقاومة حرارية ذات معامل حرارة سالب (NTC) No
- الحزمة / العلبة INT-A-PAK (3 + 4)
- المورد الجهاز الحزمة INT-A-PAK
- تيار المجمع (Ic) (الأقصى) 85 A
- درجة حرارة التشغيل 175°C (TJ)
- الطاقة - الحد الأقصى 208 W
- نوع IGBT Trench
- Vce(تشغيل) (الحد الأقصى) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- السعة المدخلة (Cies) عند Vce 3.03 nF @ 30 V