APTGT75A1202G
Numéro de pièce :
APTGT75A1202G
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Microsemi Corporation
Description :
IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 110 A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 50 µA
- Puissance - Max 357 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 75A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 5.34 nF @ 25 V
- Boîtier SP2
- Fournisseur Dispositif Emballage SP2