DF80R12W2H3B11BOMA1
Numéro de pièce :
DF80R12W2H3B11BOMA1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT MODULE
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Fournisseur Dispositif Emballage -
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
- 输入 Standard
- Thermistance NTC Yes
- Puissance - Max 190 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
- Configuration Dual Boost Chopper
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.35 nF @ 25 V