F4-50R07W2H3_B51
Numéro de pièce :
F4-50R07W2H3_B51
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT MODULE VCES 650V 50A
Emballage :
Bulk
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- Courant de collecteur de coupure (Max) 1 mA
- 输入 Standard
- Fournisseur Dispositif Emballage Module
- Thermistance NTC Yes
- Puissance - Max 520 W
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 65 A
- Configuration Full Bridge Inverter
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 25A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 2.95 nF @ 25 V