FPF2C110BI07AS2
Numéro de pièce :
FPF2C110BI07AS2
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
IGBT MODULE 650V 40A 300W F2
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Type d'IGBT -
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 40 A
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C
- Courant de collecteur de coupure (Max) 250 µA
- Puissance - Max 300 W
- Thermistance NTC Yes
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 40A
- Boîtier 30-DIP Module
- Fournisseur Dispositif Emballage F2