NXH80B120H2Q0SNG
Numéro de pièce :
NXH80B120H2Q0SNG
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
PIM POWER MODULE
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Thermistance NTC Yes
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 41 A
- Courant de collecteur de coupure (Max) 200 µA
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 40A
- Configuration Dual Boost Chopper
- Fournisseur Dispositif Emballage 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
- Puissance - Max 103 W
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 9.7 nF @ 25 V