NXH80T120L2Q0P2G
Numéro de pièce :
NXH80T120L2Q0P2G
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
IC MODULE PIM 1200V 80A
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
- 输入 Standard
- Thermistance NTC Yes
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 67 A
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
- Configuration Three Level Inverter
- Fournisseur Dispositif Emballage 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
- Puissance - Max 158 W
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.85V @ 15V, 80A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 19.4 nF @ 20 V