RGE80TS65DGC13
Numéro de pièce :
RGE80TS65DGC13
Catégorie de produit :
IGBTs simples
Fabricant :
ROHM Semiconductor
Description :
5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Emballage :
Tape & Reel (TR)
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Type de montage Through Hole
- Statut de la pièce Active
- Grade -
- Qualification -
- Boîtier TO-247-3
- 输入类型 Standard
- Puissance - Max 200 W
- Courant - Collecteur Pulsé (Icm) 120 A
- Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
- Charge de grille 85 nC
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 63 A
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Condition de test 400V, 40A, 10Ohm, 15V
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.05V @ 15V, 40A
- Fournisseur Dispositif Emballage TO-247GE
- Énergie de Commutation 1.09mJ (on), 780µJ (off)
- Td (on/off) @ 25°C 49ns/131ns
- Temps de récupération inverse (trr) 183 ns