SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1
Numéro de pièce :
SNXH100M65L4Q2F2P2G-N1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
onsemi
Description :
11705 GEN-III 1100V Q2PACK
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
PDF :
Documents
Spécifications
- Statut de la pièce Active
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- 输入 Standard
- Thermistance NTC Yes
- Température de fonctionnement 175°C (TJ)
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 650 V
- Type d'IGBT Trench Field Stop
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 113 A
- Courant de collecteur de coupure (Max) 300 µA
- Configuration Three Level Inverter
- Fournisseur Dispositif Emballage 40-PIM/Q2PACK (93x47)
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 225A
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 14630 pF @ 20 V
- Puissance - Max 226 W