APTGT35A120T1G
Номер детали:
APTGT35A120T1G
Категории товаров:
Модули IGBT
Производитель:
Microchip Technology
Описание:
IGBT MODULE 1200V 55A 208W SP1
Упаковка:
Bulk
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Документы
Спецификации
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 55 A
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
- NTC Термистор Yes
- Мощность - Максимальная 208 W
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 35A
- Входная емкость (Cies) при Vce 2.5 nF @ 25 V
- Корпус SP1
- Поставщик Устройство Корпус SP1