APTGT50A1202G
Номер детали:
APTGT50A1202G
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Microsemi Corporation
Описание:
IGBT MODULE 1200V 75A 277W SP2
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация Half Bridge
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 75 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Ток отсечки коллектора (макс.) 50 µA
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 50A
- Входная емкость (Cies) при Vce 3.6 nF @ 25 V
- Мощность - Максимальная 277 W
- Корпус SP2
- Поставщик Устройство Корпус SP2