FF150R12KE3GB2HOSA1
Номер детали:
FF150R12KE3GB2HOSA1
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Infineon Technologies
Описание:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A
Упаковка:
Tray
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Active
- Тип монтажа Chassis Mount
- Рабочая температура -40°C ~ 125°C (TJ)
- Корпус Module
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Ток отсечки коллектора (макс.) 5 mA
- Поставщик Устройство Корпус Module
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 225 A
- IGBT Тип Trench Field Stop
- Входная емкость (Cies) при Vce 11 nF @ 25 V
- Мощность - Максимальная 780 W
- Конфигурация Half Bridge Inverter
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.15V @ 15V, 150A