FMM7G50US60N
Номер детали:
FMM7G50US60N
Категория продукта:
Модули IGBT
Производитель:
Fairchild Semiconductor
Описание:
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Упаковка:
Bulk
Состояние ROHS:
Да
Валюта:
USD
PDF:
Данные
Характеристики
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Through Hole
- Поставщик Устройство Корпус -
- Корпус Module
- IGBT Тип -
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 600 V
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 50 A
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
- Ток отсечки коллектора (макс.) 250 µA
- Конфигурация Three Phase Inverter with Brake
- 输入 Three Phase Bridge Rectifier
- NTC Термистор Yes
- Мощность - Максимальная 139 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 3.565 nF @ 30 V