MII75-12A3
Номер детали:
MII75-12A3
Категории товаров:
Модули IGBT
Производитель:
IXYS
Описание:
IGBT MODULE 1200V 90A 370W Y4M5
Упаковка:
Box
Статус ROHS:
Да
Валюта:
USD
Спецификации
- Статус детали Obsolete
- Тип монтажа Chassis Mount
- Напряжение - Пробой коллектор-эмиттер (Макс.) 1200 V
- Рабочая температура -40°C ~ 150°C (TJ)
- Конфигурация Half Bridge
- Ток коллектора (Ic) (макс.) 90 A
- 输入 Standard
- NTC Термистор No
- Vce(вкл) (Макс) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 50A
- IGBT Тип NPT
- Корпус Y4-M5
- Поставщик Устройство Корпус Y4-M5
- Мощность - Максимальная 370 W
- Входная емкость (Cies) при Vce 3.3 nF @ 25 V
- Ток отсечки коллектора (макс.) 4 mA