BSM25GB120DN2
Número de pieza:
BSM25GB120DN2
Clasificación de productos:
Módulos IGBT
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT MODULE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Paquete / Carcasa Module
- Temperatura de Operación 150°C (TJ)
- Tipo de IGBT -
- Potencia - Máx 200 W
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Configuración Half Bridge
- 输入 Standard
- Termistor NTC No
- Proveedor Dispositivo Paquete Module
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 1.65 nF @ 25 V
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 25A
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 38 A
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 800 µA