DF80R12W2H3B11BOMA1
Número de pieza:
DF80R12W2H3B11BOMA1
Clasificación de productos:
Módulos IGBT
Fabricante:
Infineon Technologies
Descripción:
IGBT MODULE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Active
- Tipo de Montaje Chassis Mount
- Proveedor Dispositivo Paquete -
- Paquete / Carcasa Module
- Tipo de IGBT -
- Corriente - Colector (Ic) (Máx.) 50 A
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 1200 V
- Temperatura de Operación -40°C ~ 150°C (TJ)
- Corriente - Corte del Colector (Máx.) 1 mA
- 输入 Standard
- Termistor NTC Yes
- Potencia - Máx 190 W
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 1.7V @ 15V, 20A
- Configuración Dual Boost Chopper
- Capacitancia de Entrada (Cies) @ Vce 2.35 nF @ 25 V