NGTD13T65F2WP
Número de pieza:
NGTD13T65F2WP
Clasificación de productos:
IGBTs individuales
Fabricante:
onsemi
Descripción:
IGBT TRENCH FIELD STOP 650V DIE
Embalaje:
Bulk
Estado de ROHS:
Sí
Moneda:
USD
PDF:
Documentación
Especificaciones
- Estado de la Pieza Obsolete
- Tipo de Montaje Surface Mount
- Temperatura de Operación -55°C ~ 175°C (TJ)
- 输入类型 Standard
- Condición de Prueba -
- Energía de Conmutación -
- Td (encendido/apagado) @ 25°C -
- Corriente - Colector Pulsada (Icm) 120 A
- Vce(on) (Máx) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 30A
- Paquete / Carcasa Die
- Proveedor Dispositivo Paquete Die
- Voltaje de Ruptura Colector-Emisor (Máx) 650 V
- Tipo de IGBT Trench Field Stop