BSM100GB120DN2HOSA1
Numéro de pièce :
BSM100GB120DN2HOSA1
Catégorie de produit :
Modules IGBT
Fabricant :
Infineon Technologies
Description :
IGBT MOD 1200V 150A 800W
Emballage :
Tray
Statut ROHS :
Oui
Monnaie :
USD
Spécifications
- Statut de la pièce Obsolete
- Type de montage Chassis Mount
- Boîtier Module
- Température de fonctionnement 150°C (TJ)
- Type d'IGBT -
- Tension de claquage collecteur-émetteur (Max) 1200 V
- Configuration Half Bridge
- 输入 Standard
- Thermistance NTC No
- Fournisseur Dispositif Emballage Module
- Capacité d'entrée (Cies) @ Vce 6.5 nF @ 25 V
- Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150 A
- Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 100A
- Courant de collecteur de coupure (Max) 2 mA
- Puissance - Max 800 W